2N6976

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數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

2N6976
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N6976
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
884000
YXYBDT臺灣
TO-3
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

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制造商
INTERSIL
制造商全稱
Intersil Corporation
功能描述
5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

2N6976 技術參數

2N697 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N696S 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N696 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6901 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.69A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.07A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:8.33W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 4.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG 2N7000RLRMG 2N7000RLRPG 2N7000TA 2N7002