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2SAR513PFRAT100

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

2SAR513PFRAT100
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
100
ROHM
con
24+
-
三極管

2SAR513PFRAT100
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
100
ROHM
con
24+
-
三極管

2SAR513PFRAT100
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
5000
ROHM
MPT3 (SOT-89-3) (SC-
21+
-
原裝現貨，假一賠百,支持實單

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功能描述
PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
制造商
rohm semiconductor
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
在售
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
1A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
50V
不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）
400mV @ 25mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
180 @ 50mA，2V
功率 - 最大值
500mW
頻率 - 躍遷
400MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-243AA
供應商器件封裝
MPT3
標準包裝
1

2SAR513PFRAT100 技術參數

2SAR513P5T100 功能描述:PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR512RTL 功能描述:TRANS PNP 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:430MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SAR512PT100 功能描述:TRANS PNP 30V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:430MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR512PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:430MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR512P5T100 功能描述:PNP -30V -2A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:430MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100 2SAR533PT100 2SAR542F3TR 2SAR542PFRAT100 2SAR542PT100 2SAR543DTL 2SAR543RTL 2SAR544P5T100 2SAR544PFRAT100 2SAR544PT100 2SAR544RTL 2SAR552P5T100 2SAR552PFRAT100 2SAR552PT100