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2SCR512PFRAT100

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 2SCR512PFRAT100
    2SCR512PFRAT100

    2SCR512PFRAT100

  • 深圳市航誠芯科技有限公司
    深圳市航誠芯科技有限公司

    聯系人：李澳門

    電話：19335378180

    地址：福田區華強北街道華勻大夏1棟4樓456A

  • 8000

  • ROHM/羅姆

  • N/A

  • 1824+

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  • 1
2SCR512PFRAT100 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • 汽車級，AEC-Q101
  • 零件狀態
  • 在售
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 2A
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 30V
  • 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）
  • 400mV @ 35mA，700mA
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 1μA（ICBO）
  • 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
  • 200 @ 100mA，2V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 320MHz
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • MPT3
  • 標準包裝
  • 1
2SCR512PFRAT100 技術參數
  • 2SCR512P5T100 功能描述:NPN 30V 2A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR502UBTL 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SCR502EBTL 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:EMT3F 標準包裝:1 2SCR375P5T100R 功能描述:NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 80mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR375P5T100Q 功能描述:NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 80mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR522EBTL 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL 2SCR523EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL 2SCR523V1T2L 2SCR533P5T100 2SCR533PFRAT100 2SCR533PT100 2SCR542PFRAT100 2SCR542PT100 2SCR543DTL 2SCR543RTL 2SCR544P5T100 2SCR544PFRAT100 2SCR544PT100 2SCR544RTL
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