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2SK771-5-TB-E

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  • 封裝
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  • 2SK771-5-TB-E
    2SK771-5-TB-E

    2SK771-5-TB-E

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 6000

  • SANYO

  • SOT23

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 2SK771-5-TB-E
    2SK771-5-TB-E

    2SK771-5-TB-E

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 4000

  • SANYO

  • SOT23

  • 05+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SK771-5-TB-E
    2SK771-5-TB-E

    2SK771-5-TB-E

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人：朱平

    電話：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 1436

  • SANYO

  • 原廠

  • 21+

  • -

  • 百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

  • 2SK771-5-TB-E
    2SK771-5-TB-E

    2SK771-5-TB-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

  • 23

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 2SK771-5-TB-E
    2SK771-5-TB-E

    2SK771-5-TB-E

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人：李先生

    電話：18948176968

    地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質：營業執照

  • 1008

  • SANYO

  • SOT23

  • 假一賠十！

  • -

  • 絕對原裝現貨??！

  • 2SK771-5-TB-E
    2SK771-5-TB-E

    2SK771-5-TB-E

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人：林小姐//方先生

    電話：

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知

  • 6000

  • SANYO

  • SOT23

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共35條 
  • 1
2SK771-5-TB-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • JFET N-CH 40V 20MA SCP
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 8,000
  • 系列
  • -
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
  • 1.2mA @ 10V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 漏極電流 (Id) - 最大
  • 10mA
  • FET 型
  • N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
  • -
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id
  • 180mV @ 1µA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 4pF @ 10V
  • 電阻 - RDS（開）
  • 200 歐姆
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 供應商設備封裝
  • 3-ECSP1006
  • 功率 - 最大
  • 100mW
2SK771-5-TB-E 技術參數
  • 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK715V 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:500 2SK715U-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:7.3mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06
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