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APT50GP60LDLG

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  • APT50GP60LDLG
    APT50GP60LDLG

    APT50GP60LDLG

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

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  • 1
APT50GP60LDLG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • IGBT 600V 150A TO-264
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APT50GP60LDLG 技術參數
  • APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:525μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 開關能量:465μJ（開），637μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/83ns 測試條件:400V，50A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 開關能量:465μJ（開），635μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/85ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT50GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:107A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 開關能量:1185μJ（開），1565μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:325nC 25°C 時 Td（開/關）值:20ns/230ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2
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