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BC639ZL1G

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BC639ZL1G
    BC639ZL1G

    BC639ZL1G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON-SEMI

  • TO-92

  • 10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BC639ZL1G
    BC639ZL1G

    BC639ZL1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865300

  • ON

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理，原裝正品現(xiàn)貨！！

BC639ZL1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BC639ZL1G 技術(shù)參數(shù)
  • BC639ZL1 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC639RL1G 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC639RL1 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC639G 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BC639-16ZL1G 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC640 BC640,112 BC640,116 BC640,126 BC640_J35Z BC640_J61Z BC640-016G BC640BU BC640G BC640TA BC640TAR BC640TF BC640TFR BC640ZL1 BC640ZL1G BC68-25PA,115 BC68-25PASX BC68PA,115
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