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BSR58,215

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSR58,215
    BSR58,215

    BSR58,215

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • NXP

  • 原廠封裝

  • 09+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • BSR58,215
    BSR58,215

    BSR58,215

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • NXP

  • 原廠封裝

  • 09+

  • -
  • BSR58,215
    BSR58,215

    BSR58,215

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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BSR58,215 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 正向跨導 gFS(最大值/最小值)
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 漏源電壓 VDS
  • 40 V
  • 閘/源截止電壓
  • 5 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 40 V
  • 最大漏極/柵極電壓
  • 40 V
  • 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss)
  • 25 mA to 75 mA
  • 漏極連續電流
  • 功率耗散
  • 250 mW
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-23
  • 封裝
  • Reel
BSR58,215 技術參數
  • BSR58 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):8mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):800mV @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR57,215 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):40 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:3,000 BSR57 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):40 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR56,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):25 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR56 功能描述:JFET N-Channel 40V 50mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):25 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSS-025-01-C-D-A BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D BSS-025-01-F-D-A BSS-025-01-F-D-A-TR BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2
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