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BUK6240-75C

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  • BUK6240-75C
    BUK6240-75C

    BUK6240-75C

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • NXP

  • DPAK

  • 10+

  • -

  • 原裝現貨優勢庫存

  • BUK6240-75C
    BUK6240-75C

    BUK6240-75C

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • 飛利浦NXP

  • DPAK

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理，原裝正品現貨??！

  • BUK6240-75C
    BUK6240-75C

    BUK6240-75C

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 20466

  • NXP/恩智浦

  • DPAK

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
BUK6240-75C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFETN CH75V16ASOT428
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET,N CH,75V,16A,SOT428
BUK6240-75C 技術參數
  • BUK6228-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 31A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK6226-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 33A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:80W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK6218-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1170pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK6217-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:44A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:80W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK6215-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 57A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK652R0-30C,127 BUK652R1-30C,127 BUK652R3-40C,127 BUK652R6-40C,127 BUK652R7-30C,127 BUK653R2-55C,127 BUK653R3-30C,127 BUK653R4-40C,127 BUK653R5-55C,127 BUK653R7-30C,127 BUK654R0-75C,127 BUK654R6-55C,127 BUK654R8-40C,127 BUK655R0-75C,127 BUK6607-55C,118 BUK6607-75C,118 BUK6610-75C,118 BUK661R6-30C,118
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