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BUK9M85-60EX

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BUK9M85-60EX
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集好芯城
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聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
52075
Nexperia(安世)
22+
-
原裝原廠現貨

BUK9M85-60EX
深圳市億聯芯電子科技有限公司
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聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1210
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BUK9M85-60EX
深圳市晶美隆科技有限公司
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聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
13620
NXP
SOT-1210
24+
-
只做全新原裝正品現貨

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BUK9M85-60EX PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
4.4nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
434pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
31W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
73 毫歐 @ 5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
標準包裝
1

BUK9M85-60EX 技術參數

BUK9M7R2-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19.7nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2567pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK9M6R6-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK9M5R2-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2467pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK9M53-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:683pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 BUK9M52-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17.6A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:407pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:31W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標準包裝:1 BUK9Y11-80EX BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115 BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-80E,115 BUK9Y15-100E,115 BUK9Y153-100E,115 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B/C2,115 BUK9Y19-75B,115 BUK9Y21-40E,115 BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y25-60E,115