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CSD19536KTT

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人：陳先生 13360533550

    電話：0755-83289799

    地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質：營業執照

  • 23822

  • 22+

  • -

  • 原裝原廠現貨

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業執照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD19536KTTT
    CSD19536KTTT

    CSD19536KTTT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19536KTTT
    CSD19536KTTT

    CSD19536KTTT

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 500

  • TI

  • TO-2633

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 27500

  • TI

  • VSONP8

  • 22+

  • -

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TI/德州儀器

  • TO263-3

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質：營業執照

  • 320334

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優勢庫存，原裝正品

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國上海

  • 320334

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優勢庫存，原裝正品

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質：營業執照

  • 320334

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • CSD19536KTTT
    CSD19536KTTT

    CSD19536KTTT

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 0

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 場效應管

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 320334

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 320334

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD19536KTT
    CSD19536KTT

    CSD19536KTT

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人：汪小姐

    電話：19240207240

    地址：華強北都會軒4507

    資質：營業執照

  • 20000

  • TI/德州儀器

  • TO263-3

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應。品質保障

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 100V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 200A（Ta）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 6V，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 153nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 12000pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 375W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 2.4 毫歐 @ 100A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • DDPAK/TO-263-3
  • 封裝/外殼
  • TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
  • 標準包裝
  • 1
CSD19536KTT 技術參數
  • CSD19536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19535KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:98nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7930pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD19535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:101nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19534Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT
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