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CSD88584Q5DC

配單專家企業(yè)名單
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  • 數(shù)量
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    現(xiàn)貨
  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 5000

  • TI

  • 原封裝

  • 22+

  • -

  • 授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

  • CSD88584Q5DC
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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TI/德州儀器

  • VSON-22

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • CSD88584Q5DC
    CSD88584Q5DC

    CSD88584Q5DC

  • 深圳市歐瑞芯電子有限公司
    深圳市歐瑞芯電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐、張先生、張小姐

    電話：0755-827148891353040899018475619159

    地址：深圳市福田區(qū)現(xiàn)代之窗A座11C/香港元朗區(qū)宏業(yè)西街33號(hào)元朗貿(mào)易中心206室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 29390

  • TI/德州儀器

  • VSON-22

  • 25+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室

  • 27

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -

  • 渠道可追溯現(xiàn)貨庫(kù)存F

  • CSD88584Q5DC
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    CSD88584Q5DC

  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐

    電話：13661385246

    地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)

  • 44

  • TI

  • N/A

  • 1802+

  • -

  • 13661385246進(jìn)口原裝現(xiàn)貨。最新...

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  • 1
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CSD88584Q5DC 技術(shù)參數(shù)
  • CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87588NT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（5x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC
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