特點(diǎn)：

內(nèi)部以銀為屏蔽層，發(fā)熱漏磁等現(xiàn)象少。

不必接地，電路設(shè)計(jì)自由度大。

采用多種材料和方法抑制噪聲。

     hs：抑制xl成分（數(shù)字波形的峰值），防止波形特性下降。

     hm：z特性在20mhz以上時(shí)急劇增加，適用于100mhz~300mhz范圍內(nèi)的輻射噪聲。

      ll：高頻范圍z特性增加，適用于200mhz~500mhz范圍內(nèi)的噪聲。

      lm：最適于200mhz周圍的噪聲對(duì)策。有效提升衰減效果。

       hw：系列中對(duì)xl成份的抑制效果最佳，確保波形特性及高頻域衰減。

       ts：直流電阻較小，適用于lsi電源的噪聲對(duì)策。

用途：

計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相冊(cè)等信息設(shè)備，數(shù)碼設(shè)備的時(shí)鐘信號(hào)線、一般信號(hào)線之高頻噪聲對(duì)策。

計(jì)算機(jī)、打印機(jī)等接口、電纜線連接部的輻射噪聲。

錄像機(jī)等的av設(shè)備噪聲對(duì)策。

防止pdc、phs等移動(dòng)通訊設(shè)備間的相互干擾。

采用磁屏蔽結(jié)構(gòu)、實(shí)現(xiàn)小型化。最適用于lsi的電源供電線濾波。