| 品牌 | 華超電容 | 型號 | hczn |
| 類別 | 直插 | 調節(jié)方式 | 固定 |
| 外形 | 圓柱形 | 應用范圍 | 高頻 |
| 標稱容量 | 4(μf) | 介質材料 | 復合介質 |
hczn-油浸箔式吸收電容器
技術與性能指標
1、執(zhí)行標準:gb/t17702-1999
2、類別溫度范圍:-25℃~+85℃
3、容量允許偏差范圍:+5%
4、電容器在1khz的損耗角正切值(tanδ)≤0.0009
5、端子極間短路放電實驗:1.1un電壓下20分鐘之內連續(xù)50次極間不加電阻充放電不擊穿
6、產品密封性實驗:80℃±5℃的恒溫下24小時無滲漏
7、端子間絕緣電阻值:當c≤1uf r≥3000mω
當c>1uf rc≥3000s
8、端子間試驗電壓:2.15un,時間10s
9、端子與外殼間的試驗電壓:2.15un+1000v
10、產品容量范圍:0.05~50µf
11、產品電壓范圍:0.5kvac-3kvac