| 品牌 | 進(jìn)口 | 型號(hào) | npo 0603 50v 100 10p |
| 介質(zhì)材料 | 陶瓷(瓷介) | 應(yīng)用范圍 | 諧振 |
| 外形 | 方塊狀 | 功率特性 | 小功率 |
| 頻率特性 | 高頻 | 調(diào)節(jié)方式 | 固定 |
| 引線類型 | 無引線 | 允許偏差 | ±10(%) |
| 耐壓值 | 50(v) | 等效串聯(lián)電阻(esr) | 0(mω) |
| 標(biāo)稱容量 | 10p(uf) | 損耗 | 0 |
| 額定電壓 | 50(v) | 絕緣電阻 | 0(mω) |
| 溫度系數(shù) | 75 |
npo、x7r、z5u和y5v的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。
在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。
所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
一 npo電容器
npo是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。
它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
npo電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。
在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3δc。
npo電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對(duì)大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。
其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。
npo電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了npo電容器可選取的容量范圍。
封 裝 dc=50v dc=100v
0805 0.5---1000pf 0.5---820pf
1206 0.5---1200pf 0.5---1800pf
1210 560---5600pf 560---2700pf
2225 1000pf---0.033μf 1000pf---0.018μf
npo電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。
二 x7r電容器
x7r電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。
當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。
x7r電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年變化1%δc,表現(xiàn)為10年變化了約5%。
x7r電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。
它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
下表給出了x7r電容器可選取的容量范圍。
封 裝 dc=50v dc=100v
0805 330pf---0.056μf 330pf---0.012μf
1206 1000pf---0.15μf 1000pf---0.047μf
1210 1000pf---0.22μf 1000pf---0.1μf
2225 0.01μf---1μf 0.01μf---0.56μf
三 z5u電容器
z5u電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。
這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對(duì)于z5u電容器主要的是它的小尺寸和低成本。
對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下z5u電容器有最大的電容量。
但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。
盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(esl)和等效串聯(lián)電阻(esr)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。
尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了z5u電容器的取值范圍。
封 裝 dc=25v dc=50v
0805 0.01μf---0.12μf 0.01μf---0.1μf
1206 0.01μf---0.33μf 0.01μf---0.27μf
1210 0.01μf---0.68μf 0.01μf---0.47μf
2225 0.01μf---1μf 0.01μf---1μf
z5u電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍 +10℃ --- +85℃
溫度特性 +22% ---- -56%
介質(zhì)損耗 最大 4%
四 y5v電容器
y5v電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)+22%到-82%。
y5v的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μf電容器。
y5v電容器的取值范圍如下表所示
封 裝 dc=25v dc=50v
0805 0.01μf---0.39μf 0.01μf---0.1μf
1206 0.01μf---1μf 0.01μf---0.33μf
1210 0.1μf---1.5μf 0.01μf---0.47μf
2225 0.68μf---2.2μf 0.68μf---1.5μf
y5v電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍 -30℃ --- +85℃
溫度特性 +22% ---- -82%
介質(zhì)損耗 最大 5%