vt8538ac實用高效率高頻開關電源控制ic
  vt853高性能pwm控制芯片:用于高性能、低待機功耗的離線反激變換器的控制。
在空載或輕載時，芯片工作在輕載模式，減小開關損耗，提高效率。芯片的低啟動電流，使得啟動電路可以采用阻值大的啟動電阻，來減小待機電流。自帶各種保護功能，包括每周期的過流保護、過載保護、輸入電壓的過壓及欠壓保護等。抖頻工作技術以及帶軟開關控制的圖騰柱式驅動輸出可以達到極佳的emi性能。

產品應用原理電路圖:

主要特點
* 開關的抖頻控制提高emi性能
* 輕負載模式減小待機功耗
* 外部設置開關頻率
* 3μa低啟動電流
* 內置前沿消隱電路
* 輸入電壓的過壓及欠壓保護
* 柵驅動輸出高電壓鉗位
* 輸出過流保護
* 過負載保護
* sot-23-6

fs=6500 / ri  <khz>   ri=r3= 50k至150k歐姆

功能描述 :vt8538ac是電流模式的pwm控制芯片，應用于離線式反激變換器的應用。以下是對芯片各功能的具體描述。 啟動控制 :vt8538ac的啟動電流很低，因此可以快速啟動。外部啟動電路可以采用較大的啟動電阻，在保證啟動正常的同時減小待機功耗。在輸入電壓范圍之內，可以采用2 m?，1/8 w的啟動電阻。抖頻控制 :芯片采用抖頻控制來改善emi性能。 振蕩頻率隨機調制后，基頻的能量被擴展到一個窄頻帶中，從而減小基頻處的電磁干擾。整個應用系統的設計會變得更簡單。 輕負載模式在輕負載或空載條件下，mosfet的開關損耗、變壓器的損耗以及外部snubber電路的損耗占總功耗的很大一部分。而以上這些損耗正比與單位時間內的開關次數。所以減小單位時間內的開關次數將直接降低以上損耗。在輕負載或空載時刻進入輕負載工作模式。只有當輸出電壓降低到設定設定值時，mosfet才開始開關工作，同時，開關頻率也降低。否則，mosfet一直截至。 振蕩頻率設置 振蕩由ri和gnd之間的外接電阻值決定，兩者之間的關系如下公式所示。 fs=6500/ri，<khz>  其中，rri為外接電阻值，單位是k?。 <ri=r3=50k至150k> 電流檢測和前沿消隱在mosfet開啟的時刻，由于緩沖電路中的二極管反向恢復會產生的電流毛刺。該毛刺會影響pwm比較器的誤判，必須去除。芯片中sense端內置的前沿消隱電路實現這一功能，原先需要的外圍rc濾波電路則可以省去。在前沿消隱時間內，pwm比較器和限流比較器是不工作的，mosfet開關在這段時間內是保持導通狀態的。所以，mosfet開關開啟的最小時間就是前沿消隱的時間。柵驅動gate管腳連接到外部mosfet的柵，來實現對mosfet的開關控制。gate的驅動能力太弱，mosfet的開關損耗會增加；反之，gate的驅動能力太強，則會帶來emi問題。因此，芯片的圖騰柱式的驅動輸出部分在驅動能力和死區時間之間進行了折衷。gate的輸出高電平被鉗位在13v，以保護外部mosfet的安全。 保護功能 芯片自帶各種保護功能，包括每周期的過流保護、過載保護、輸入電壓的過壓及欠壓保護等。 通過輸入電壓補償的過流保護閾值電壓，實現輸出的恒功率控制。vdd由外部變壓器的輔助繞組輸出供電。當vdd電壓過高時，被鉗位在閾值處；當vdd電壓過低時，mosfet開關截止，系統重新進入上電復位過程。當fb電壓超過過載保護電壓閾值，且維持時間達到時，mosfet開關截止，vdd電壓開始下降，當vdd低于uvlo閾值后，重新復位啟動。