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分離式半導體產品 NSBC123EPDXV6T1G品牌、價格、PDF參數

NSBC123EPDXV6T1G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
NSBC123EPDXV6T1G ON Semiconductor TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 0
EMC4DXV5T1G ON Semiconductor TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553 0
NSBC123EPDXV6T1G • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): 50V
電阻器 - 基極 (R1)(歐): 2.2k
電阻器 - 發射極 (R2)(歐): 2.2k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): 8 @ 5mA,10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大): 250mV @ 5mA,10mA
電流 - 集電極截止(最大): 500nA
頻率 - 轉換: -
功率 - 最大: 500mW
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝: SOT-563
包裝: 帶卷 (TR)