分離式半導體產品 NSVMUN5334DW1T1G品牌、價格、PDF參數
NSVMUN5334DW1T1G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| NSVMUN5334DW1T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363 |
0 |
6,000:$0.13299
|
| NSVMUN5333DW1T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363 |
0 |
6,000:$0.13299
|
| NSVMUN5212DW1T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363 |
0 |
6,000:$0.13299
|
| NSVBC114YDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 |
0 |
8,000:$0.10230
|
| NSVB143TPDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
0 |
8,000:$0.10230
|
| NSVB123JPDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
0 |
8,000:$0.10230
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NSVMUN5334DW1T1G • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
100mA
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| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）: |
50V
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| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: |
22k
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| 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）: |
47k
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| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): |
80 @ 5mA，10V
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| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: |
250mV @ 1mA，10mA
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| 電流 - 集電極截止（最大）: |
500nA
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| 頻率 - 轉換: |
-
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| 功率 - 最大: |
250mW
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| 封裝/外殼: |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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| 供應商設備封裝: |
SOT-363
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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