分離式半導體產品 RN1413TE85,F品牌、價格、PDF參數
RN1413TE85,F • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| RN1413TE85,F |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.04400
|
| RN1411T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.04400
|
| RN2406T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.04000
|
| RN1402T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.04000
|
| RN1410T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.03800
|
| RN1401T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
6,000:$0.03600
|
| RN2404T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SMINI |
0 |
9,000:$0.03290
|
| RN1405T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
9,000:$0.03290
|
| RN1406T5LFT |
Toshiba |
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI |
0 |
9,000:$0.03000
|
RN1413TE85,F • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
|
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
100mA
|
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）: |
50V
|
| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: |
47k
|
| 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）: |
-
|
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): |
120 @ 1mA，5V
|
| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: |
300mV @ 250µA，5mA
|
| 電流 - 集電極截止（最大）: |
-
|
| 頻率 - 轉換: |
250MHz
|
| 功率 - 最大: |
200mW
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
|
| 供應商設備封裝: |
S-Mini
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|