分離式半導體產品 SI5473DC-T1-GE3品牌、價格、PDF參數
SI5473DC-T1-GE3 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| SI5473DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 |
0 |
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| SI5481DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI6404DQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP |
0 |
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| SI6465DQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP |
0 |
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| SI7446BDP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7452DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC |
0 |
|
| SI7476DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC |
0 |
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SI5473DC-T1-GE3 PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道,金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
12V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
5.9A
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| 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
27 毫歐 @ 5.9A,4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)(最大): |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
32nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.3W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SMD,扁平引線
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| 供應商設備封裝: |
1206-8 ChipFET?
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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