分離式半導體產品 SI5449DC-T1-GE3品牌、價格、PDF參數
SI5449DC-T1-GE3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| SI5449DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8 |
0 |
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| SI5463EDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 |
0 |
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| SI5475DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
0 |
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| SI5480DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI5482DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI5858DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI7358ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7368DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7407DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 |
0 |
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| SI7445DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
0 |
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SI5449DC-T1-GE3 • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
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| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
3.1A
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| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
85 毫歐 @ 3.1A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
600mV @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
11nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.3W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SMD，扁平引線
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| 供應商設備封裝: |
1206-8 ChipFET?
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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