| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPP086N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 | 0 | 1:$2.50000 10:$2.25800 25:$2.01560 100:$1.81420 250:$1.61260 500:$1.41102 1,000:$1.16914 2,500:$1.08850 5,000:$1.04819 |
| IPB530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 | 2,000 | 1:$1.92000 10:$1.64500 25:$1.48000 100:$1.34310 250:$1.20604 500:$1.04158 |
| IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 | 0 | 1,000:$0.77880 |
| IPA65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | 0 | 10,000:$0.77051 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 80A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.6 毫歐 @ 73A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 75µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3980pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO220-3 |
| 包裝: | 管件 |