| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB029N06N3 G E8187 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 0 | 1,000:$1.24700 |
| IPB049N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 0 | 1:$2.04000 10:$1.75100 25:$1.57560 100:$1.42960 250:$1.28372 500:$1.10866 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.2 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 118µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 188W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |