分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB039N10N3 G E8187品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPB039N10N3 G E8187 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IPB039N10N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
0 |
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| IPB039N10N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
0 |
1,000:$2.12310
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IPB039N10N3 G E8187 • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
160A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.9 毫歐 @ 100A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
3.5V @ 160µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
117nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
8410pF @ 50V
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| 功率 - 最大: |
214W
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| 安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO263-7
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| 包裝: |
剪切帶 (CT)
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