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分離式半導體產品 TK65E10N1,S1X品牌、價格、PDF參數

TK65E10N1,S1X • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
TK65E10N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 100V 148A TO220 0 1:$3.36000
10:$3.00000
25:$2.70000
100:$2.46000
250:$2.22000
500:$1.99200
1,000:$1.68000
2,500:$1.59600
5,000:$1.53000
TK65E10N1,S1X • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 148A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 毫歐 @ 32.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 50V
功率 - 最大: 192W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220
包裝: 管件