| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD50R950CE | Infineon Technologies | MOSF 500V 4.3A PG-TO252 | 0 | 2,500:$0.50540 5,000:$0.48013 12,500:$0.46028 25,000:$0.44764 62,500:$0.43320 |
| BSP129 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | 0 | 2,000:$0.33307 |
| SPD09P06PL G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 | 0 | 2,500:$0.32944 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 500V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 4.3A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 950 毫歐 @ 1.2A，13V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 231pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 34W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |