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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTU06N120P品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IXTU06N120P • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IXTU06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 0 150:$2.78800
IXTU06N120P • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 600mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): -
閘電荷(Qg) @ Vgs: -
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: -
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 長(zhǎng)引線,IPak,TO-251AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-251
包裝: 管件