| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IXFT18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 | 10 | 1:$15.75000 10:$14.32000 100:$12.17200 250:$11.09800 500:$10.38200 1,000:$9.52280 2,500:$9.12900 5,000:$8.87840 10,000:$8.59200 |
| IXFR32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | 0 | 30:$15.63267 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 18A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 660 毫歐 @ 9A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 6.5V @ 4mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4890pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 830W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA |
| 供應商設備封裝: | TO-268 |
| 包裝: | 管件 |