分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTY1R4N100P品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IXTY1R4N100P • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IXTY1R4N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 |
0 |
300:$1.50000
|
| IXTP1R4N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220 |
0 |
300:$1.50000
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IXTY1R4N100P • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
1000V（1kV）
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
1.4A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
11 歐姆 @ 500mA，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 50µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
17.8nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
450pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
63W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-252，（D-Pak）
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| 包裝: |
管件
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