| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| HTNFET-D | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP | 0 | 1:$343.75000 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 55V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | - |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 400 毫歐 @ 100mA，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.4V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| 功率 - 最大: | 50W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | 8-CDIP 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝: | 8-CDIP-EP |
| 包裝: | 散裝 |