分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB09N03LAT品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPB09N03LAT • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IPB09N03LAT |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
0 |
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| BSC059N03ST |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 |
0 |
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| BSC042N03ST |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 |
0 |
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| SPB80N03S2L05T |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
0 |
|
IPB09N03LAT • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
25V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
50A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
8.9 毫歐 @ 30A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2V @ 20µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
13nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
1642pF @ 15V
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| 功率 - 最大: |
63W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO263-3
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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