| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SIE860DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK | 0 | 3,000:$1.12725 |
| SUP90N04-3M3P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO-220AB | 0 | 1:$2.31000 25:$1.86240 100:$1.67630 250:$1.49000 500:$1.30376 1,000:$1.08025 2,500:$1.00575 5,000:$0.96850 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 60A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.1 毫歐 @ 21.7A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4500pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 10-PolarPAK?（M） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 10-PolarPAK?（M） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |