分離式半導體產品 SI4448DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數
SI4448DY-T1-GE3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| SI4448DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.51620
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| SIE816DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
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| SIE808DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
| SIE806DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
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SI4448DY-T1-GE3 • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
標準
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
12V
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| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
50A
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| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.7 毫歐 @ 20A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
150nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
12350pF @ 6V
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| 功率 - 最大: |
7.8W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應商設備封裝: |
8-SOICN
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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