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分離式半導體產(chǎn)品 SIE830DF-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIE830DF-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIE830DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$1.51620
SI4408DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC 0 2,500:$0.88830
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 1:$2.28000
25:$1.75520
100:$1.59250
250:$1.43000
500:$1.23500
1,000:$1.04000
SQD50N03-09-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252 0 2,000:$1.36192
IRL630STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 0 800:$1.33875
SQ4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC 0 2,500:$1.33650
SQJ469EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
SQJ461EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V TO252 0 3,000:$1.28250
SQR40N10-25-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V TO263 0 2,000:$0.86535
SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.21230
SIE830DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 15V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?（S）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-PolarPAK?（S）
包裝: 帶卷 (TR)