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分離式半導體產品 SI1488DH-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI1488DH-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI1488DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 0 3,000:$0.20925
SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V SC-70-6 0 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V SC-70-6 0 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 0 1:$2.00000
25:$1.53920
100:$1.39650
250:$1.25400
500:$1.08300
1,000:$0.91200
SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V SC-70-6 0 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
2N7002-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 0 1,000:$0.20400
SI1488DH-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 6.1A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 49 毫歐 @ 4.6A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.01nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 10V
功率 - 最大: 2.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝: SC-70-6
包裝: 帶卷 (TR)