| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI7370DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.79110 |
| SUD19N20-90-T4-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 200V TO252 | 0 | 2,500:$1.33650 |
| SIA418DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | 0 | 1:$0.50000 25:$0.34640 100:$0.29700 250:$0.25652 500:$0.22050 1,000:$0.17100 |
| IRLZ14STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 0 | 800:$0.77854 |
| SI7148DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 75V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.79110 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 9.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 毫歐 @ 12A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.9W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |