| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPP65R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | 493 | 1:$2.05000 10:$1.85300 25:$1.65440 100:$1.48880 250:$1.32340 500:$1.15798 1,000:$0.95947 2,500:$0.89330 5,000:$0.86021 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 600 毫歐 @ 2.1A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 210µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 63W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO220-3 |
| 包裝: | 管件 |