| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SSM6J501NU,LF | Toshiba | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B | 3,000 | 3,000:$0.29000 6,000:$0.27000 15,000:$0.26000 30,000:$0.25000 75,000:$0.24600 150,000:$0.24000 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 10A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 15.3 毫歐 @ 4A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29.9nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-WDFN 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝: | 6-uDFN（2x2） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |