分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMN130-200D,118品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
PSMN130-200D,118 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| PSMN130-200D,118 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 200V 20A SOT428 |
5,000 |
2,500:$0.88500
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| PSMN015-100B,118 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 100V 75A SOT404 |
8,000 |
800:$0.91008
1,600:$0.84960
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PSMN130-200D,118 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
200V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
20A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
130 毫歐 @ 25A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
65nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2470pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
150W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
D-Pak
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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