| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| DMN2300UFB4-7B | Diodes Inc | MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 | 10,000 | 10,000:$0.06000 30,000:$0.05625 50,000:$0.04988 100,000:$0.04875 250,000:$0.04688 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 1.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 175 毫歐 @ 300mA，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 950mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 1.6nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 64.3pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 470mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 3-XFDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |