| 元器件型號(hào) | 廠(chǎng)商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC | 0 | 2,500:$0.60667 |
| SIS452DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK | 587 | 1:$1.44000 25:$1.13400 100:$1.02060 250:$0.88832 500:$0.79380 1,000:$0.62370 |
| SIS452DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK | 587 | 1:$1.44000 25:$1.13400 100:$1.02060 250:$0.88832 500:$0.79380 1,000:$0.62370 |
| SIS452DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK | 0 | 3,000:$0.52920 6,000:$0.50274 15,000:$0.48195 30,000:$0.46872 75,000:$0.45360 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 9.8A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 毫歐 @ 13.7A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1.4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 56nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |