| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 | 2,204 | 1:$7.24000 10:$6.51500 25:$5.91160 100:$5.30840 250:$4.82580 500:$4.22258 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 120V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 180A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.6 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 211nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 13800pF @ 60V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-7 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |