| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPP048N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 | 296 | 1:$4.78000 10:$4.26700 25:$3.84000 100:$3.49870 250:$3.15740 500:$2.83312 1,000:$2.38938 2,500:$2.26991 5,000:$2.17604 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 120V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 100A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.8 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 230µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 182nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 12000pF @ 60V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO220-3 |
| 包裝: | 管件 |