| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 | 12,140 | 1:$2.74000 10:$2.34700 25:$2.11240 100:$1.91690 250:$1.72128 500:$1.48656 1,000:$1.25184 |
| BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | 7,996 | 1:$2.70000 10:$2.31700 25:$2.08480 100:$1.89190 250:$1.69884 500:$1.46718 1,000:$1.23552 2,500:$1.11969 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 250V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 25A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 60 毫歐 @ 25A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 90µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2350pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 136W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |