| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| BSB044N08NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 | 5,000 | 5,000:$1.45643 10,000:$1.41645 25,000:$1.37076 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 90A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.4 毫歐 @ 30A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 97µ |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5700pF @ 40V |
| 功率 - 最大: | 78W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 3-WDSON |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | MG-WDSON-2，CanPAK M? |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |