| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD60R450E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 | 4,909 | 1:$2.08000 10:$1.78400 25:$1.60560 100:$1.45680 250:$1.30812 500:$1.12974 1,000:$0.95136 |
| BSC0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | 10,000 | 5,000:$0.83746 10,000:$0.80525 25,000:$0.78915 50,000:$0.77304 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 9.2A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 450 毫歐 @ 3.4A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 280µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 620pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 74W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | Digi-Reel® |