| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSZ0909NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A TSDSON-8 | 9,788 | 1:$0.87000 10:$0.75400 25:$0.67480 100:$0.59550 250:$0.51612 500:$0.43670 1,000:$0.34738 2,500:$0.31760 |
| BSZ0909NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A TSDSON-8 | 9,788 | 1:$0.87000 10:$0.75400 25:$0.67480 100:$0.59550 250:$0.51612 500:$0.43670 1,000:$0.34738 2,500:$0.31760 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 19A |
| 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.6 毫歐 @ 20A,10V |
| Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 2.1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
| 供應商設備封裝: | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
| 包裝: | Digi-Reel® |