分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI032N06N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPI032N06N3 G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IPI032N06N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
0 |
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IPI032N06N3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
120A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.2 毫歐 @ 100A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 118µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
165nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
13000pF @ 30V
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| 功率 - 最大: |
188W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO262-3
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| 包裝: |
管件
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