| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SPN02N60C3 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 | 0 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 400mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.5 歐姆 @ 1.1A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.9V @ 80µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 1.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應商設備封裝: | PG-SOT223-4 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |