| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD068P03L3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 4,964 | 1:$1.85000 10:$1.58400 25:$1.42600 100:$1.29380 250:$1.16184 500:$1.00340 1,000:$0.84496 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 70A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6.8 毫歐 @ 70A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 150µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 91nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 7720pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 100W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |