| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB260N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 | 1,930 | 1:$1.13000 10:$1.01100 25:$0.89200 100:$0.80270 250:$0.69864 500:$0.62434 |
| IPB260N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 | 1,000 | 1,000:$0.44595 2,000:$0.41622 5,000:$0.39541 10,000:$0.37906 25,000:$0.36865 50,000:$0.35676 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 27A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 25.7 毫歐 @ 27A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 11µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1200pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 36W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-2 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |